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SDE3-V1D-H-HQ4-2P-M8 “压力传感器”

东莞市乾宏工业电子有限公司
会员指数: 企业认证:         

价格: 电议

所在地:广东 东莞市

型号:SDE3-V1D-H-HQ4-2P-M8

更新时间:2019-09-03

浏览次数:1323

公司地址:东莞市南城区莞太路12号中兴大厦510室

周小姐(女士) 销售 

产品简介

德国进口FESTO压力传感器,FESTO传感器正品 将半导体以膜状固定于绝缘基片或多孔烧结体上做成传感元件。气体传感器又分为半导体气体传感器、固体电解质气体传感器、接触燃烧式气体传感器、晶体振荡式气体传感器和电

公司简介

东莞市乾宏工业电子有限公司
主要经营日本SMC电磁阀,SMC气缸,德国FESOT电磁阀,FESTO气缸,德国BURKERT电磁阀,BURKERT角座阀,,BURKERT传感器 等等气动元件产品;德国PILZ(皮尔兹继电器)、德国TURCK(图尔克)等工控产品;液压产品的德国的REXROTH(力士乐)、意大利ATOS(阿托斯)等等在中国内地广泛应用。                                                                                  
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产品说明

德国进口FESTO压力传感器,FESTO传感器正品

SDE1-D10-G2-FQ4-L-P1-M12 压力传感器 537030
SDE1-D10-G2-FQ4-L-P1-M8 压力传感器 537028
SDE1-D10-G2-FQ4-L-P2-M12 压力传感器 537031
SDE1-D10-G2-FQ4-L-P2-M8 压力传感器 537029
SDE1-D10-G2-H18-C-P1-M8 压力传感器 192030
SDE1-D10-G2-H18-C-P2-M8 压力传感器 192031
SDE1-D10-G2-H18-C-PU-M8 压力传感器 529955
SDE1-D10-G2-H18-L-P1-M8 压力传感器 529961
SDE1-D10-G2-H18-L-P2-M8 压力传感器 529962
SDE1-D10-G2-H18-L-PU-M8 压力传感器 529963
SDE1-D10-G2-R14-C-P1-M8 压力传感器 192028
SDE1-D10-G2-R14-C-P2-M8 压力传感器 192029
SDE1-D10-G2-R14-C-PU-M8 压力传感器 529957
SDE1-D10-G2-R14-L-P1-M12 压力传感器 534157
SDE1-D10-G2-R14-L-P1-M8 压力传感器 529967
SDE1-D10-G2-R14-L-P2-M8 压力传感器 529968
SDE1-D10-G2-R14-L-PU-M8 压力传感器 529969
SDE1-D10-G2-R18-C-P1-M8 压力传感器 192026
SDE1-D10-G2-R18-C-P2-M8 压力传感器 192027
SDE1-D10-G2-R18-C-PU-M8 压力传感器 529958
SDE1-D10-G2-R18-L-P1-M12 压力传感器 534064
SDE1-D10-G2-R18-L-P1-M8 压力传感器 529970
SDE1-D10-G2-R18-L-PU-M8 压力传感器 529972
SDE1-D10-G2-W18-L-2I-M12 压力传感器 534062
SDE1-D10-G2-W18-L-P1-M12 压力传感器 534063
SDE1-D10-G2-W18-L-PI-M12 压力传感器 537021
SDE1-D10-G2-W18-L-PI-M8 压力传感器 537020
SDE1-D10-G2-W18-L-PU-M8 压力传感器 530900
SDE1-D2-G2-W18-L-P1-M8 压力传感器 537024
SDE1-D2-G2-W18-L-P2-M8 压力传感器 537025
SDE1-D2-G2-WQ4-C-P2-M8 压力传感器 535581
SDE1-D6-G2-W18-L-P1-M8 压力传感器 537026
SDE1-D6-G2-W18-L-P2-M8 压力传感器 537027
SDE1-V1-G2-H18-C-P1-M8 压力传感器 192034
SDE1-V1-G2-H18-C-P2-M8 压力传感器 192035
SDE1-V1-G2-H18-C-PU-M8 压力传感器 529959
SDE1-V1-G2-H18-L-P1-M8 压力传感器 529973
SDE1-V1-G2-H18-L-P2-M8 压力传感器 529974
德国进口FESTO压力传感器,FESTO传感器正品
FESTO压力传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
FESTO压力传感器由分子识别部分(敏感元件)和转换部分(换能器)构成,以分子识别部分去识别被测目标,
结构是可以引起某种物理变化或化学变化的主要功能元件。分子识别部分是生物传感器选择性测定的基础。
生物体中能够选择性地分辩特定物质的物质有酶、抗体、组织、细胞等。这些分子识别功能物质通过识别过程可与被测目标结合成复合物,如抗体和抗原的结合,酶与基质的结合。在设计生物传感器时,选择适合于测定对象的识别功能物质,是极为重要的前提。要考虑到所产生的复合物的特性。根据分子识别功能物质制备的敏感元件所引起的化学变化或物理变化,去选择换能器,是研制高极速快三生物传感器的另一重要环节。敏感元件中光、热、化学物质的生成或消耗等会产生相应的变化量。根据这些变化量,可以选择适当的换能器。
德国进口FESTO压力传感器,FESTO传感器正品
SDE1-V1-G2-H18-L-PU-M8 压力传感器 529975
SDE1-V1-G2-W18-L-P1-M12 压力传感器 534065
SDE1-V1-G2-W18-L-PI-M12 压力传感器 537023
SDE1-V1-G2-W18-L-PI-M8 压力传感器 537022
SDE1-D10-G2-HQ4-C-P1-M8 压力传感器 192032
SDE1-D10-G2-HQ4-C-P2-M8 压力传感器 192033
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SDE1-D10-G2-HQ4-L-P1-M8 压力传感器 529964
SDE1-D10-G2-HQ4-L-P2-M8 压力传感器 529965
SDE1-V1-G2-HQ4-C-P1-M8 压力传感器 192036
SDE1-V1-G2-HQ4-C-P2-M8 压力传感器 192037
SDE1-V1-G2-HQ4-L-P1-M8 压力传感器 529976
SDE1-V1-G2-HQ4-L-P2-M8 压力传感器 529977
SDE3-D10D-B-FQ4-2P-M8 压力传感器 540210
SDE3-D10D-B-HQ4-2P-M8 压力传感器 540209
SDE3-D10S-B-FQ4-2P-M8 压力传感器 540208
SDE3-D10S-B-HQ4-2P-M8 压力传感器 540207
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SDE3-D10Z-B-HQ4-2P-M8 压力传感器 540211
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SDE5-… 压力传感器 529027
SDE5-D10-C3-Q6E-P-K 压力传感器 542896
SDE5-D10-C-Q4E-P-M8 压力传感器 542889
SDE5-D10-C-Q6E-P-K 压力传感器 542895
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SDE5-V1-O-Q6E-P-M8 压力传感器 527461
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:林小姐
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德国进口FESTO压力传感器,FESTO传感器正品
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